雪崩击穿（雪崩击穿和齐纳击穿区别）
大家好，今天来为大家解答关于雪崩击穿这个问题的知识，还有对于雪崩击穿和齐纳击穿区别也是一样，很多人还不知道是什么意思，今天就让我来为大家分享这个问题，现在让我们一起来看看吧！
1雪崩击穿正温度系数
1、当温度上升时，载流子浓度增大，导致PN结的阻挡层变窄，碰撞而电离的机会就大大减少，即雪崩式的撞击大大减少，雪崩击穿发生的难度就会增大。故温度升高，雪崩击穿所需的反向电压也需要更大。解释完毕。
2、齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。
3、即更容易发生碰撞散射。但是，由于雪崩击穿是由于具有足够大的能量的载流子碰撞发生的。所以，需要增加外加电压，在加速时间减小的前提下，才能达到雪崩击穿的能量。所以，雪崩击穿的击穿电压是正温度系数。
4、对于硅PN结的反向击穿特性而言，6V以上的击穿以雪崩击穿为主，6V以下的击穿以齐纳击穿为主。雪崩击穿电压呈正温度系数，即温度升高时击穿电压上升，齐纳击穿相反，是负温度系数。
5、使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种碰撞电离导致击穿称为雪崩击穿，也称为电子雪崩现象。 雪崩击穿有正温度系数。而齐纳击穿有负温度系数。可以利用这一点减小温漂。
2雪崩击穿可恢复吗
雪崩击穿：如果正向工作区（AB段）负载电流过大、反向击穿区（CD）反向电压过高或限流电阻过小而反向过电流，都会导致二极管的不可恢复击穿。这是一种损毁性的击穿，通常是短路状态。
二极管稳压管就是利用雪崩击穿和齐纳击穿来工作的，当加于稳压管两端电压撤除后，又自动恢复到击穿前的状态，就可反复使用。
MOSFET与一般的晶体管不同，它没有二次击穿特性，所以击穿后就损坏了。
电流不大且时间不长属于雪崩击穿，可以恢复。不可恢复的叫热击穿。二极管又称晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。
晶体管的击穿分为一次击穿和二次击穿，一次击穿又称雪崩击穿。一次击穿是一种可恢复性击穿；二次击穿为不可恢复击穿，或称破坏性击穿。
3问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?
两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。
齐纳击穿反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。
当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增，PN结就发生雪崩击穿。
雪崩击穿的介绍就聊到这里吧，感谢你花时间阅读本站内容，更多关于雪崩击穿和齐纳击穿区别、雪崩击穿的信息别忘了在本站进行查找喔。
